Automatyske temperatuer- en fochtigenskontrôle
De temperatuer en fochtigens fan 'e skjinne keamer wurde benammen bepaald neffens de proseseasken, mar ûnder de betingst dat oan' e proseseasken foldien wurdt, moat it minsklik komfort yn rekken brocht wurde.Mei de tanimming fan easken foar luchtreinigens is d'r in trend dat it proses hieltyd strangere easken hat foar temperatuer en fochtigens.
As de machining krektens wurdt hieltyd fyner, de easken foar it temperatuer fluktuaasje berik wurde hieltyd lytser.Bygelyks, yn it litografyske eksposysjeproses fan grutskalige produksje fan yntegreare circuits, is it ferskil tusken de termyske útwreidingskoëffisjint fan glês en silisiumwafel as it materiaal fan it diafragma nedich om lytser en lytser te wêzen.In silisiumwafel mei in diameter fan 100μm sil in lineêre útwreiding fan 0.24μm feroarsaakje as de temperatuer mei 1 graad opkomt.Dêrom moat it in konstante temperatuer hawwe fan ± 0,1 graden.Tagelyk is de feiligenswearde oer it generaal leech te wêzen, om't nei't in persoan swit, sil it produkt fersmoarge wurde, benammen Foar semiconductor-workshops dy't bang binne foar natrium, moat dit soarte skjinne workshop net mear as 25 graden wêze.
Tefolle luchtvochtigheid soarget foar mear problemen.As de relative luchtvochtigheid 55% grutter is, sil kondinsaasje op 'e muorre fan' e kuolwetterpipe foarkomme.As it bart yn in presys apparaat of circuit, sil it ferskate ûngelokken feroarsaakje.It is maklik om te roastjen as de relative fochtigens 50% is.Dêrnjonken, as de fochtigens te heech is, sil it stof op it oerflak fan 'e silisiumwafel gemysk wurde adsorbearre troch de wettermolekulen yn 'e loft nei it oerflak, dat is dreech te ferwiderjen.Hoe heger de relative fochtigens, hoe dreger it is om de adhesion te ferwiderjen, mar as de relative vochtigheid leger is as 30%, wurde de dieltsjes ek maklik op it oerflak geadsorbeerd troch de aksje fan elektrostatyske krêft, en in grut oantal semiconductor apparaten binne gefoelich foar ôfbraak.It bêste temperatuerberik foar produksje fan silisiumwafer is 35 ~ 45%.
